型号：NTR1P02LT1G
类别：FET - 单
制造商：ON Semiconductor
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫欧 @ 750mA，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.25V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V
功率_最大：400mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：带卷 (TR)
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
大 小：56K
