型号:NTMSD6N303R2
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
系列:FETKY™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:950pF @ 24V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 FETKY
大 小:233K