型号:NTMSD3P102R2G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
系列:FETKY™
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.34A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫欧 @ 3.05A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 16V
功率_最大:730mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual Dual SO-8 Package
大 小:183K