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详细参数
型号:NTMSD2P102LR2G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
系列:FETKY™
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 16V
功率_最大:710mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:NTMSD2P102LR2
大 小:98K
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