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详细参数
型号:NTMS4920NR2G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.3 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:58.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4068pF @ 25V
功率_最大:820mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8
大 小:140K
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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