型号:NTMS4101PR2
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:450mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3200pF @ 10V
功率_最大:1.38W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
大 小:120K