型号：NTMS10P02R2
类别：FET - 单
制造商：ON Semiconductor
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 10A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V
功率_最大：1.6W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：剪切带 (CT)
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
大 小：120K
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