型号：NTMD2C02R2
类别：FET - 阵列
制造商：ON Semiconductor
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
系列：-
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，3.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：43 毫欧 @ 4A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
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