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详细参数

型号：NTMD2C02R2

类别：FET - 阵列

制造商：ON Semiconductor

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC

系列：-

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，3.4A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：43 毫欧 @ 4A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：带卷 (TR)

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厂商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]

描述：Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts

大小：120K

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我们公司主营IC芯片电子元器件： 1.ST、TI、ON、ADI、NXP、vishay威世、Xilinx赛灵思、Infineon英飞凌、GD 等品牌 2.连接器主营 JST、HRS、MOLEX等品牌 3.传感器主营 HONEYWELL 欧姆龙等品牌 4. IGBT模块主营英飞凌富士西门康三菱赛灵思等现货库存，价格优势。

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