型号:NTLTD7900ZR2G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-VDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:15pF @ 16V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:Micro8?
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET -20 V, -8.3 A, Single P-Channel,Micro8 Leadless Package
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