型号：NTLTD7900ZR2G
类别：FET - 阵列
制造商：ON Semiconductor
封装：8-VDFN 裸露焊盘
描述：MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 6.5A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：15pF @ 16V
功率_最大：1.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：Micro8?
包装：剪切带 (CT)
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Quad Power MOSFET 24 V, 15 A, N−Channel, PInPAK-TM Package
大 小：74K
