型号：NTLJD2104PTAG
类别：FET - 阵列
制造商：ON Semiconductor
封装：6-WDFN 裸露焊盘
描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
系列：-
FET型：2 个 P 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 3A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：800mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：467pF @ 6V
功率_最大：700mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：6-WDFN（2x2）
包装：带卷 (TR)
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Quad Power MOSFET 24 V, 15 A, N−Channel, PInPAK-TM Package
大 小：74K
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