型号:NTLJS1102PTAG
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:6-WDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 6.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:720mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1585pF @ 4V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:6-WDFN(2x2)
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET −8 V, −8.1 A, COOL Single P−Channel, 2x2 mm, WDFN package
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