型号:NTLJD3183CZTBG
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:6-WDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A,2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:68 毫欧 @ 2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:355pF @ 10V
功率_最大:710mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:6-WDFN(2x2)
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4.0 A, μCool? Complementary, 2x2 mm, WDFN Package
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