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详细参数

型号：NTLJD2104PTAG

类别：FET - 阵列

制造商：ON Semiconductor

封装：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN

系列：-

FET型：2 个 P 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 3A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：800mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：467pF @ 6V

功率_最大：700mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商设备封装：6-WDFN（2x2）

包装：带卷 (TR)

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厂商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]

描述：Quad Power MOSFET 24 V, 15 A, N−Channel, PInPAK-TM Package

大小：74K

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