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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：NTLGD3502NT1G
类别：FET - 阵列
制造商：ON Semiconductor
封装：6-VDFN 裸露焊盘
描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A，3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 4.3A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V
功率_最大：1.74W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：6-DFN（3x3）
包装：剪切带 (CT)
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NTLGD3502N PDF下载
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package
大 小：89K
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