型号:NTLGD3502NT1G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:6-VDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 4.3A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 10V
功率_最大:1.74W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:6-DFN(3x3)
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package
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