型号:NTJD2152PT4G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:775mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 570mA,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 8V
功率_最大:270mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Trench Small Signal MOSFET
大 小:61K