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详细参数
型号:NTJD1155LT1
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:400mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:High Efficiency DC-DC Converters
大 小:1973K
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查询更多NTJD1155L1G供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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