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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:NTHD5903T1G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:155 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:ChipFET?
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFET
大 小:69K
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NTHD5903T1G
ON SEMICONDUCTOR
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ON Semiconductor
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