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详细参数
型号:NTHD2102PT1
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 2.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:715pF @ 6.4V
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:ChipFET?
包装:带卷 (TR)
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厂 商:CANDD [ C&D Technologies ]
描 述:Isolated 2W Dual Output SM DC-DC Converters
大 小:624K
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查询更多NTHD4NC2FT1供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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