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详细参数
型号:NTHC5513T1
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A,2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 10V
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:ChipFET?
包装:带卷 (TR)
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厂 商:CANDD [ C&D Technologies ]
描 述:Isolated 2W Dual Output SM DC-DC Converters
大 小:624K
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查询更多NTHC5513TG供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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