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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:NTGD3147FT1G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:SC-74,SOT-457
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:145 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 10V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET and Schottky Diode−20 V, −2.5 A, P−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
大 小:118K
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NTGD3147FT1G
ON
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NTGD3147FT1G
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