型号:NTGD3133PT1G
类别:FET - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:SC-74,SOT-457
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:145 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 10V
功率_最大:560mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Power MOSFET −20 V, −2.5 A, P−Channel, TSOP−6 Dual
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