型号：NTDV18N06LT4G
类别：FET - 单
制造商：ON Semiconductor
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 9A，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V
功率_最大：2.1W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：DPAK-3
包装：带卷 (TR)
厂 商：EDI [ Electronic devices inc. ]
描 述：HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
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