NTD32N06LT4G参数(2020年),NTD32N06LT4G中文资料,NTD32N06LT4G供应商,NTD32N06LT4G最新价格,NTD32N06LT4G货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：NTD32N06LT4G

类别：FET - 单

制造商：ON Semiconductor

封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 16A，5V

Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：带卷 (TR)

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厂商：EDI [ Electronic devices inc. ]

描述：HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

大小：35K

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NTD32N06LT4G

ON SEMICONDUCTOR

23+

2500

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NTD32N06LT4G

ONS

21+

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NTD32N06LT4G

ON Semiconductor

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