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详细参数

型号：NTB25P06G

类别：FET - 单

制造商：ON Semiconductor

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

系列：-

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：27.5A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 25A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1680pF @ 25V

功率_最大：120W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：管件

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厂商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]

描述：Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK

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NTB25P06G

ON Semiconductor

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NTB25P06G

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