型号:NSS40302PDR2G
类别:晶体管(BJT) - 阵列
制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
系列:-
晶体管类型:NPN,PNP
电流_集电极333Ic444111最大222:3A
电压_集电极发射极击穿111最大222:40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:115mV @ 200mA,2A
电流_集电极截止111最大222:-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 1A,2V
功率_最大:653mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Complementary 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) Transistor
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