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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:NSM21156DW6T1G
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363
系列:-
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流_集电极333Ic444111最大222:100mA
电压_集电极发射极击穿111最大222:50V,65V
电阻器_基极333R1444111欧222:10k
电阻器_发射极333R2444111欧222:10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V / 220 @ 2mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:250mV @ 300µA,10mA / 300mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止111最大222:500nA
频率_转换:-
功率_最大:230mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ONSEMI [ ON Semiconductor ]
描 述:Dual PNP Transistors
大 小:78K
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