型号:NP83P04PDG-E1-AY
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET P-CH -40V 83A TO-263
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:83A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫欧 @ 41.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9820pF @ 10V
功率_最大:1.8W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:带卷 (TR)
厂 商:NEC [ NEC ELECTRONICS ]
描 述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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