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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：NP80N055PDG-E1B-AY
类别：FET - 单
制造商：Renesas Electronics America
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 40A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V
功率_最大：1.8W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263
包装：Digi-Reel®
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厂 商：RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
描 述：MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小：362K
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