型号:NP50P03YDG-E1-AY
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:8-SMD,扁平引线裸焊盘
描述:MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.4 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:96nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3500pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘
供应商设备封装:8-HSON
包装:剪切带 (CT)
厂 商:RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
描 述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小:243K