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详细参数
型号：NP34N055SHE-E1-AY
类别：FET - 单
制造商：Renesas Electronics America
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 17A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
功率_最大：1.2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）
包装：带卷 (TR)
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NP3454-BA2C-I-350 PDF下载
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：50A, Ultra Low Capacitance TSPD
大 小：145K
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NJM072MTL072DIJRC96
NT90TP-N1CD-DC5V-SB
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