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详细参数
型号:NP20P04SLG-E1-AY
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET P-CH -40V -20A TO-252
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 10V
功率_最大:1.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252(MP-3ZK)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional
大 小:53K
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NP20P04SLG-E2-AY
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