型号：NP100P04PDG-E1-AY
类别：FET - 单
制造商：Renesas Electronics America
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫欧 @ 50A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：320nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：15100pF @ 10V
功率_最大：1.8W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263
包装：带卷 (TR)
厂 商：RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
描 述：MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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