型号:NE58219-A
类别:RF 晶体管 (BJT)
制造商:CEL
封装:SC-75,SOT-416
描述:TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
系列:-
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿111最大222:12V
频率_转换:5GHz
噪声系数111dB典型值0a0频率222:-
增益:-
功率_最大:100mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,5V
电流_集电极333Ic444111最大222:60mA
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:3 针 SuperMiniMold (19)
包装:散装
厂 商:NEC [ NEC ELECTRONICS ]
描 述:1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
大 小:44K