型号:NE5517DR2G
类别:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
制造商:ON Semiconductor
封装:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
系列:-
放大器类型:跨导
电路数:2
输出类型:推挽式
压摆率:50 V/µs
增益带宽积:2MHz
_3db带宽:-
电流_输入偏置:400nA
电压_输入失调:400µV
电流_电源:2.6mA
电流_输出__通道:650µA
电压_电源qqq单__双333ttt444:4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
工作温度:0°C ~ 70°C
安装类型:表面贴装
封装__外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Dual Operational Transconductance Amplifier
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