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详细参数

型号：NDH8304P

类别：FET - 阵列

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：8-SSOT，SuperSOT-8

描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A SSOT8

系列：-

FET型：2 个 P 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.7A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：865pF @ 10V

功率_最大：800mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SSOT，SuperSOT-8

供应商设备封装：8-SSOT

包装：带卷 (TR)

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

大小：87K

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