型号:NDD02N60Z-1G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
描述:MOSFET N-CH 600V IPAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.8 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 50µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.1nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 25V
功率_最大:57W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0
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