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详细参数
型号:MUN5111DW1T1G
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
系列:-
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444111最大222:100mA
电压_集电极发射极击穿111最大222:50V
电阻器_基极333R1444111欧222:10k
电阻器_发射极333R2444111欧222:10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222:500nA
频率_转换:-
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Bias Resistor Transistor
大 小:163K
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