型号：MUN5111DW1T1G
类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造商：ON Semiconductor
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
系列：-
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
电流_集电极333Ic444111最大222：100mA
电压_集电极发射极击穿111最大222：50V
电阻器_基极333R1444111欧222：10k
电阻器_发射极333R2444111欧222：10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222：250mV @ 300µA，10mA
电流_集电极截止111最大222：500nA
频率_转换：-
功率_最大：250mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：SOT-363
包装：剪切带 (CT)
厂 商：ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述：Dual Bias Resistor Transistors
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