型号:MUBW50-12T8
类别:IGBT
制造商:IXYS
封装:E3
描述:MODULE IGBT CBI E3
系列:-
IGBT类型:沟道
配置:三相反相器,带制动器
电压_集电极发射极击穿111最大222:1200V
VgewwwwIc时的最大Vce111开222:2.15V @ 15V,50A
电流_集电极333Ic444111最大222:80A
电流_集电极截止111最大222:2.7mA
Vce时的输入电容333Cies444:3.5nF @ 25V
功率_最大:270W
输入:三相桥式整流器
NTC热敏电阻:是
安装类型:底座安装
封装__外壳:E3
供应商设备封装:E3
厂 商:NSC [ National Semiconductor ]
描 述:1W, Bypass-Capacitor-less Audio Amplifier with Internal Selectable Gain
大 小:480K