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详细参数

型号：MTP10N10ELG

类别：FET - 单

制造商：ON Semiconductor

封装：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫欧 @ 5A，5V

Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1040pF @ 25V

功率_最大：1.75W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

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厂商：VISAY [ Vishay Siliconix ]

描述：Wet Tantalum Capacitors Subminiature, Axial Leads

大小：89K

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