型号:MTD10N10ELT4
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 5A,5V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1040pF @ 25V
功率_最大:1.75W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)
厂 商:MOTOROLA [ MOTOROLA ]
描 述:TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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