型号：MTD10N10ELT4
类别：FET - 单
制造商：ON Semiconductor
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫欧 @ 5A，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1040pF @ 25V
功率_最大：1.75W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：DPAK-3
包装：剪切带 (CT)
厂 商：MOTOROLA [ MOTOROLA ]
描 述：TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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