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详细参数

型号：MSD601-RT1

类别：晶体管(BJT) - 单路

制造商：ON Semiconductor

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：TRANS GP NPN 100MA 50V SC59

系列：-

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444111最大222：100mA

电压_集电极发射极击穿111最大222：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止111最大222：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V

功率_最大：200mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SC-59

包装：剪切带 (CT)

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厂商：MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]

描述：Glass Passivated Three Phase Rectifier Bridge

大小：134K

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