型号：MP6M11TCR
类别：FET - 阵列
制造商：Rohm Semiconductor
封装：6-SMD，扁平引线
描述：MOSFET N-CH+P-CH 4V DUAL MPT6
系列：-
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：98 毫欧 @ 3.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.9nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 10V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-SMD，扁平引线
供应商设备封装：MPT6
包装：Digi-Reel®
厂 商：HY [ HY ELECTRONIC CORP. ]
描 述：SILICON BRIDGE RECTIFIERS
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