型号:MCH6626-TL-E
类别:FET - 阵列
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
封装:6-SMD,扁平引线
描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A,1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫欧 @ 800mA,4V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds:105pF @ 10V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-SMD,扁平引线
供应商设备封装:6-MCPH
包装:带卷 (TR)
厂 商:ETC [ List of Unclassifed Manufacturers ]
描 述:Military Grade High Voltage Chip Resistors
大 小:94K