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详细参数
型号:MBT35200MT1G
类别:晶体管(BJT) - 单路
制造商:ON Semiconductor
封装:SC-74,SOT-457
描述:TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP
系列:-
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444111最大222:2A
电压_集电极发射极击穿111最大222:35V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:310mV @ 20mA,2A
电流_集电极截止111最大222:100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1.5A,1.5V
功率_最大:625mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:Digi-Reel®
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厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N-P-N TRANSISTORS
大 小:40K
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查询更多MBT3906DW1T供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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