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详细参数
型号:IXTY01N100
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:80 欧姆 @ 100mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 25µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:54pF @ 25V
功率_最大:25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252AA
包装:带卷 (TR)
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K
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查询更多IXTY5N50PSTK830D供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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