型号:IXTY02N120P
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK
系列:Polar™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:1200V(1.2kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:75 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:104pF @ 25V
功率_最大:33W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
包装:管件
厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
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